科目：
- MOS電晶體概述
- MOS管作為開關
- MOS管特性
MOS管通用：
MOSFET（這是金屬氧化物半導體場效電晶體的縮寫）用於許多微控制器中。 MOSFET 最好與普通電晶體進行比較，因為 FET 和電晶體都具有三個連接，因此能夠控制電流。 FET 與普通電晶體的差別在於，FET 只需要電壓即可進行開關，而電晶體則需要電流。 因此，無需能量即可控制 FET，這有利於將微控制器中產生的熱量降至最低。
該圖顯示了 MOSFET。 三個引腳分別是「閘極」、「汲極」和「源極」連接。
MOS管作為開關：
對於 N-MOS 電晶體，閘極必須變成正極才能開啟 FET。 本頁尚未描述 P-MOS 電晶體。
左側連接變為 門（克） 稱為，最上面的一個稱為 排水（d） 底部的一個變成了 來源 說。
如果向閘極施加正電壓，在電場的影響下，在閘極絕緣層的正下方會產生大量的電子。 這會在汲極和源極之間創建一個 n 通道，從而實現汲極和源極之間的直接傳導。 符號中的箭頭表示電子流的方向。 對於 n-MOS，箭頭指向通道。
閘極也稱為控制電極。 與一般電晶體相比，汲極與集電極最相似，源極與射極最相似。 通常，汲極和源極之間不可能導通，因為它們之間存在 np-pn 交叉。 這相當於兩個二極體的陰極相互接觸。
此圖顯示了電池、開關、LED 和 MOSFET。 當開關閉合時，閘極上有電壓。 這會在汲極和源極之間產生傳導，從而導致電流流動。 由於電流流過電阻和 LED，LED 就會點亮。
在此範例中，門由手動操作開關控制。 實際上，門是由 ECU 控制的。 排水管連接至執行器的負極連接； 圖中 LED 為執行器。 電源連接至電瓶接地。
MOS管特性：
就像普通電晶體一樣，MOSFET也有一個特性。 此特性可用於確定閘極上的電壓必須為多少才能透過 MOSFET 控制執行器。
下圖左側為 5 瓦燈的示意圖，由 MOSFET 控制。 MOSFET的特性曲線如右圖所示。 通過漏極的電流可以在特性曲線的垂直軸（Y 軸）上看到。 汲極和源極之間的電壓差可以在水平軸（X 軸）上讀取。
如果由於 ECU 向閘極提供電源電壓而導致電晶體導通，則電流將會流動，燈就會亮起。 在這種情況下用電壓表測得的電壓為12伏特。 對於 5 瓦燈，流過漏極的電流為 0,42 安培 (420 mA)。
現在已知 12 伏特電壓和 420 mA 電流，可以將這兩個交點輸入到特性曲線中。 這兩點之間可以畫一條線。 這是稅線。 此負載線可用於確定閘極上的最小電壓必須為多少才能使 MOSFET 導通。 為了確保 MOSFET 得到完全控制，閘極電壓始終設定高於所需電壓。 對於普通晶體管，考慮係數 1,5 Ibk。
特性曲線顯示閘極上的理想電壓為5,5伏特。 通過汲極的電流越大，閘極上的電壓必須越高，MOSFET 才能導通。
